1997.07-2000.12　老版新葡萄8883国际官网校办工厂工作，负责本科生金工实习；

2002.09-2008.06　老版新葡萄8883国际官网硕博连读，取得工学博士学位；

2001.01-2008.09 山西省新材料研究中心工作，实验工程师；

2008.10-2010.07  老版新葡萄8883国际官网材料学系，讲师；

2010.07-2018.12 老版新葡萄8883国际官网材料学系，副教授；

2016.03-2017.03 美国密歇根大学安娜堡校区, 访问学者

总体概述：

主持国家自然科学基金面上项目1项、省自然科学基金项目1项，参与多项国家及省自然科学基金项目。在国际与国内刊物发表研究论文10余篇（其中SCI、Ei收录6篇），并获得授权专利二项。    

承担项目：

1、石墨烯/氮化镓基异质外延的界面特性及其光电性能研究，国家自然科学基金面上项目，2017/01-2020/12，在研、主持
2、界面原子行为对三维GaN基结构生长和光电性能的影响，国家自然科学基金面上项目，2015/01-2018/1，在研、参加。
3、合金结构的表面等离子体增强发光二极管效能研究，山西省自然科学基金项目， 2011/01-2013/12，已结题、主持。

代表性论文（专著、教材）：

1、 Pei Sun, Suihu Dang, Tianbao Li *, Chunxia Li, Hua Zhang, Bingshe Xu. Carrier transport improvement in blue InGaN light-emitting diodes via reduced polarization using a band-engineered electron blocking layer. Journal of Display Technology, 2014,10（12），1101-1105
2、Tianbao Li*, Chenyang Liu, Zhe Zhang, Bin Yu, Hailiang Dong, Bingshe Xu. GaN epitaxial layers grown on multilayer graphene by MOCVD. AIP Advances, 2018，8（4），045105-04111.

3、 Tianbao Li*, Chenyang Liu, Zhe Zhang, Bin Yu, Hailiang Dong, Haiwei Jiang. Understanding the Growth Mechanism of GaN Epitaxial Layers on Mechanically Exfoliated Graphite. Nanoscale Research Letters, 2018, 13,130-136.

授权专利：

1、 发明名称：一种垂直结构发光二极管的制备方法；专利号：ZL 201510022433.1

2、 发明名称：一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法；专利号：ZL 201410750310.5

科研获奖：

2014年参与项目 “界面性质与光电器件特性关系调控技术及应用” 获国家科学技术进步二等奖一项。
2016年主持项目“高光效发光二极管的关键技术及应用”获山西省科技进步二等奖一项。